2D FET Characterization & Gate-Stack Research
Solliciteren
Plaats
Flemish BrabantBelgië
België
Contract
Vooltijds, Onbepaalde duurDatum gepubliceerd
2026-02-26Online to:
2026-04-27EUR 20.00 HOUR
2D FET Characterization & Gate-Stack Research
A leading semiconductor research organization in Belgium is offering a PhD internship focused on the advanced characterization of 2D FETs. The candidate will engineer low-resistance contacts and develop gate stacks while gaining experience in electrical characterization. Ideal for self-supported PhD students with a background in Electrical Engineering and semiconductor physics. Applications must include a resume and motivation letter. Reference code 2026-INT-040 should be mentioned.
#J-18808-Ljbffr
#J-18808-Ljbffr
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